1、提高硬度和耐腐蚀性:采用辉光离子氮化炉对半导体晶片表面进行离子渗入处理,可在晶片表面形成一层高硬度、强耐腐蚀的保护层,增强晶片的机械强度和使用寿命。
3、优化芯片结构:通过辉光离子氮化炉可以对芯片表面进行微观处理,改变表面结构和形貌,实现功能性材料的制备和优化设计。
可见,辉光离子氮化炉在半导体晶片制造中具有广泛应用的前景。通过优化渗入工艺和离子浓度,可以实现对晶片表面进行准确、效率的离子渗入处理,从而提高晶片的硬度、电学性能、产品品质和稳定性等方面的性能,为半导体行业的快速发展提供坚实支撑。